EOS 7Dおよび新レンズの発表で、いくつか興味深い技術が公開されています。
まず最初はAPS-Cで1,800万画素を達成する技術について。
すぐに思いつくのは撮像素子(CMOS)の画素間のマイクロレンズギャップを縮めることですが、それはAPS-Cで1510万画素を達成したEOS 50Dのときに既にやっています。
ではあとできることは何か？
今回のEOS 7Dに搭載されたAPS-Cサイズの1,800万画素CMOSでは、マイクロレンズとフォトダイオード間の距離を縮めてきたようです。さらに、微細化プロセスの導入によりフォトダイオード間の配線を細くすることで、フォトダイオード自体を大型化しているそうです。
ちなみにマイクロレンズとフォトダイオード間の距離を縮めて何が有効かというと、両者の間は真空空間というわけでもなく単に透明な素材なので、やはり距離に応じた光の減少、隣接画素への飛び込み、乱反射などがあるとのこと。空間が少なければそれだけ影響も減って高画質化しやすいわけですね。専門用語的には「低背化」と言い、高画質化を達成するためのベーシックな技術のようです。
いやー、どこまで行っちゃうんでしょうか。
この技術を応用すると、フルサイズは4,000万画素を超えるという意見もありますし。
（続く）
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